[发明专利]具有多电平的磁阻存储装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 201110431996.8 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102916123B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 崔源峻 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现多种电平的磁阻存储装置及其驱动方法。所述磁阻存储装置包括第一磁器件，所述第一磁器件包括具有固定磁化方向的固定层、设置在固定层上的隧道层、以及设置在隧道层上的具有可变磁化方向的第一自由层；以及第二磁器件，所述第二磁器件设置在第一磁器件上，包括多个自由层，所述多个自由层之间用间隔层隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电平 磁阻 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻存储装置，包括：第一磁器件，所述第一磁器件包括具有固定磁化方向的固定层、设置在所述固定层上并具有绝缘性质的隧道层、以及设置在所述隧道层上并具有可变磁化方向的第一自由层；第一非磁性导电层，所述第一非磁性导电层直接设置在所述第一磁器件的所述第一自由层之上；以及第二磁器件，所述第二磁器件直接设置在所述第一非磁性导电层之上，包括多个自由层，所述多个自由层之间用第二非磁性导电层隔离，其中，所述固定层、所述第一自由层、以及所述多个自由层被配置为矫顽力朝着所述固定层而增加，其中，所述第一磁器件用作用于所述第二磁器件的自旋阀层。
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