[发明专利]高压LDMOS结构无效
| 申请号： | 201110432154.4 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102522428A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 罗杰;李文昌;黄云川;马力;高继;艾磊;向可强 | 申请（专利权）人： | 成都成电硅海科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高压LDMOS结构，涉及集成电路技术。本发明包括N漂移区和P型衬底，其特征在于，在N漂移区下方的P型衬底区域，设置有复合埋层区，所述复合埋层区包括P型埋层区和N型埋层区。本发明不采用P型降场层，可以让出N型漂移区的表面高掺杂电子通道，有利于降低比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 结构 | ||
【主权项】：
高压LDMOS结构，包括N漂移区和P型衬底，其特征在于，在N漂移区下方的P型衬底区域，设置有复合埋层区，所述复合埋层区包括P型埋层区和N型埋层区。
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