[发明专利]用于使基片裂开的工艺有效
| 申请号： | 201110433265.7 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102543678A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 党晓林;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种为了从基片(1)剥离膜(1’)而使该基片裂开的工艺，该工艺包括下列连续步骤：(i)形成所谓的应力产生结构(2)，该应力产生结构局部结合至所述基片(1)的表面，并且设计成在热处理的作用下在平行于所述基片(1)的表面的平面中膨胀或收缩；和(ii)向所述结构施加热处理，该施加步骤设计成导致所述结构(2)膨胀或收缩从而在所述基片(1)中产生多个局部应力，这些局部应力的结合在平行于所述基片的表面的裂开平面(C)中产生比所述基片的机械强度大的应力以限定待剥离的所述膜(1’)，所述应力导致所述基片(1)在所述平面(C)的范围内的裂开。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使基片 裂开 工艺 | ||
【主权项】：
一种为了从基片(1)剥离膜(1’)而使该基片裂开的工艺，该工艺包括下列连续步骤：(i)形成所谓的应力产生结构(2)，该应力产生结构局部地结合至所述基片(1)的表面，并且设计成在热处理的作用下在平行于所述基片(1)的所述表面的平面中膨胀或收缩；和(ii)向所述应力产生结构施加热处理，该施加步骤被设计成使所述应力产生结构(2)膨胀或收缩从而在所述基片(1)中产生多个局部应力，这些局部应力的组合在平行于所述基片的所述表面的裂开平面(C)中产生比所述基片的机械强度大的应力，所述平面(C)限定待剥离的所述膜(1’)，所述应力导致所述基片(1)在所述平面(C)的范围内裂开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司，未经索泰克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110433265.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
