[发明专利]一种低银含量Pb-RE-Ag合金电极无效
| 申请号： | 201110433419.2 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102505126A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赖延清;蒋良兴;钟晓聪;洪波;吕晓军;郝科涛;桂俊峰;于枭影;李劼;刘业翔 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25B11/04 | 分类号： | C25B11/04 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种低银含量Pb-RE-Ag合金电极，包括下述组分按重量百分比组成：稀土0.001～2.0，银0.001～0.6，余量为铅；所述稀土选自La，Ce，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Dm，Yb，Lu，Y中的至少一种，总稀土含量为0.001wt.％～2.0wt.％。本发明所提出的合金具有成本较低、机械强度高、耐腐蚀性能好和良好电化学性能的特点，可广泛用于金属电沉积、电镀、废水处理和有机电合成领域。适于工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含量 pb re ag 合金 电极 | ||
【主权项】：
一种低银含量Pb‑RE‑Ag合金电极，包括下述组分按重量百分比组成：稀土0.001～2.0，银0.001～0.6，余量为铅；所述稀土选自La，Ce，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Dm，Yb，Lu，Y中的至少一种。
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