[发明专利]一种FinFET器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110434023.X | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103177963A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海;康劲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件的制造方法，包括：提供硅基体，并蚀刻所述硅基体以形成所述FinFET器件的Fin；在所述硅基体上形成所述FinFET器件的栅极，并在所述栅极的两侧形成第一侧壁体；在所述Fin的两侧形成第二侧壁体；在所述Fin的源/漏区的下方形成一沟槽；在所述硅基体上形成一可流动的氧化物层，以完全填充所述沟槽；在所述硅基体上形成一光致抗蚀剂层，并回蚀刻所述光致抗蚀剂层；去除未被所述光致抗蚀剂层覆盖的氧化物层；去除所述光致抗蚀剂层，并去除位于所述第一侧壁体和第二侧壁体上的剩余的氧化物层；去除所述第二侧壁体。根据本发明，可以在鳍(Fin)的源/漏区形成掩埋氧化物层以实现所述Fin之间的良好隔离，同时可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件的制造方法，包括：提供硅基体，并在所述硅基体上依次形成一衬垫层和一硬掩膜层；图形化所述硅基体，并蚀刻所述硅基体以形成所述FinFET器件的Fin；在所述硅基体上形成栅极叠层结构，蚀刻所述栅极叠层结构以形成所述FinFET器件的栅极，并在所述栅极的两侧形成第一侧壁体；在所述Fin的两侧形成第二侧壁体；蚀刻所述硅基体，以在所述Fin的源/漏区的下方形成一沟槽；在所述硅基体上形成一可流动的氧化物层，以完全填充所述沟槽；在所述硅基体上形成一光致抗蚀剂层，并回蚀刻所述光致抗蚀剂层；去除未被所述光致抗蚀剂层覆盖的氧化物层；去除所述光致抗蚀剂层，并去除位于所述第一侧壁体和第二侧壁体上的剩余的氧化物层；去除所述第二侧壁体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
