[发明专利]提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法

摘要

本发明公开了一种提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法。在抛光硅单晶片背面的二氧化硅背封层的表面再沉积一层多晶硅疏水层，多晶硅疏水层的厚度为30-100Å，沉积在二氧化硅背封层表面的厚度极薄多晶硅疏水层将硅片背面由亲水性的转变成疏水性的，大幅度提高了最终清洗时异丙醇(异丙醇）干燥步骤的成品率。由于生长的多晶硅层的厚度极薄，本发明对抛光硅单晶片背面的二氧化硅背封层表面进行疏水处理的方法不会给抛光硅单晶片的使用性能带来任何不利的影响。对背面二氧化硅背封层表面进行疏水化处理后，抛光硅单晶片的异丙醇干燥步骤的成品率可以达到85%以上。

主权项

一种提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法，其特征在于：在硅单晶片抛光前先将背面沉积有二氧化硅背封层的硅单晶片每两片相叠，以待抛光面相对叠放，有二氧化硅背封层的面朝外的状态置于石英舟内，石英舟的每个槽放两片硅单晶片，每个石英舟放50片硅单晶片；将装有硅单晶片的石英舟放在Tempress公司的减压多晶硅生长炉的悬臂桨上，炉子生长腔内的温度已被预先稳定在630‑680℃，每个桨放5‑7个石英舟，装好石英舟后将悬臂桨推入多晶硅CVD生长炉的炉膛内盖上炉门；抽真空，确认真空正常；预通硅烷，确认质量流量计正常；通硅烷进行多晶硅的CVD生长，硅烷流量20‑100毫升/分钟，生长时间1‑2分钟；生长结束通氮气吹扫后停止抽真空，再充氮气至常压；取出硅单晶片，将待抛光面抛光，清洗抛光硅单晶片和异丙醇干燥。