[发明专利]用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法有效
| 申请号： | 201110434746.X | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103177997A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该静电吸盘包括用于支撑晶圆的绝缘层；和能够安装于所述绝缘层的第一表面上方的光束源。光束源的光束的方向和输出功率可调整。与流体冷却系统配合，通过控制光束源的方向和输出功率来调节被吸附在ESC上面的晶圆的温度，从而能够更好地调整温度的不一致性，可以大大提高晶圆温度一致性，特别是改善非径向温度不一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 反应 装置 静电 吸盘 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种用于吸引晶圆的静电吸盘(ESC)，其特征在于，包括：绝缘层，所述绝缘层具有支撑晶圆的第一表面；和能够安装于所述绝缘层的第一表面上方的光束源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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