[发明专利]植球设备和利用该植球设备的植球方法有效
| 申请号： | 201110434811.9 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102522345A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 谢晓强 | 申请（专利权）人： | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/34;B23K3/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种植球设备及利用该植球设备的植球方法。所述植球设备包括用于拾取焊球的拾取工具和用于容纳焊球的容器，所述拾取工具包括：第一真空室和第二真空室，第一真空室和第二真空室相互独立；第一真空开关和第二真空开关，分别设置在所述第一真空室的一端和所述第二真空室的一端，所述第一真空开关和所述第二真空开关被独立地操作，以独立地控制第一真空室和第二真空室的真空度；第一喷嘴，设置在第一真空室的另一端并与第一真空室连通；第二喷嘴，设置在第二真空室的另一端并与第二真空室连通。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 利用 方法 | ||
【主权项】：
一种植球设备，所述植球设备包括用于拾取焊球的拾取工具和用于容纳焊球的容器，其特征在于所述拾取工具包括：第一真空室和第二真空室，第一真空室和第二真空室相互独立；第一真空开关和第二真空开关，分别设置在第一真空室的一端和第二真空室的一端，第一真空开关和第二真空开关被独立地操作，以独立地控制第一真空室和第二真空室的真空度；第一喷嘴，设置在第一真空室的另一端并与第一真空室连通；第二喷嘴，设置在第二真空室的另一端并与第二真空室连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社，未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110434811.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
