[发明专利]填充硅通孔的组合物、填充方法以及基板无效
| 申请号： | 201110434893.7 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102543953A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔光成;严龙成;裵贤哲;文钟太 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟璨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及填充硅通孔的组合物、填充方法以及基板。所述填充硅通孔(TSV)组合物包括金属粉末、焊料粉末、能固化的树脂、还原剂和固化剂。还提供一种采用该组合物的TSV填充方法和包含由该组合物形成的TSV插件的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 硅通孔 组合 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种用于填充硅通孔(TSV)的组合物，所述组合物包含：金属粉末、焊料粉末、能固化的树脂、还原剂和固化剂。
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