[发明专利]半导体器件和在半导体管芯上方形成集成无源器件的方法有效
| 申请号： | 201110434955.4 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102623391A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;刘凯;陈康 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L23/52;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯上方形成集成无源器件的方法。半导体器件具有第一半导体管芯。在第一半导体管芯上方形成第一电感器。在第一电感器上方形成第二电感器并使其与第一电感器对准。在第一半导体管芯以及第一和第二电感器上方形成绝缘层。在绝缘层上方形成导电桥并电连接在第二电感器与第一半导体管芯之间。在一个实施例中，半导体器件具有第二半导体管芯且在第一和第二半导体管芯之间形成导电层。在另一实施例中，在第一半导体管芯上方形成电容器。在另一实施例中，绝缘层在第一半导体管芯的覆盖区上方具有第一厚度且在第一半导体管芯的覆盖区外面具有小于第一厚度的第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 管芯 上方 形成 集成 无源 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供第一半导体管芯；在第一半导体管芯上方形成第一电感器；在第一电感器上方形成第二电感器并使其与第一电感器对准；在第一半导体管芯以及第一和第二电感器上方形成绝缘层；以及在绝缘层上方形成导电桥并电连接在第二电感器与第一半导体管芯之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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