[发明专利]深槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种深槽隔离结构的制造方法，该方法在成长外延层后，按照以下步骤制造深槽隔离结构：1)炉管成长二氧化硅和氮化硅，再在氮化硅上淀积二氧化硅；2)曝光显影，干法刻蚀打开要刻蚀深槽的区域；3)以步骤1)形成的二氧化硅-氮化硅-二氧化硅作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀形成深槽；4)再次炉管氧化，成长二氧化硅，将深槽隔离区域的氮化硅下方的硅全部氧化；5)淀积二氧化硅，封住深槽开口；6)深槽表面平坦化。该方法通过深沟槽刻蚀和氧化技术，形成超厚场氧化隔离层，同时利用氮化硅作为平坦化的阻挡层，从而不仅达到了隔离的效果，还大大改善了面内均匀性，降低了后端工艺的难度。

主权项

深槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅衬底上生长外延层；2)进炉管依次成长二氧化硅和氮化硅，再在氮化硅上淀积一层二氧化硅；3)曝光，显影，用干法刻蚀方法打开要刻蚀深槽的区域；4)以步骤2)形成的二氧化硅‑氮化硅‑二氧化硅作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀形成深槽；5)炉管氧化，成长二氧化硅，将深槽隔离区域的氮化硅以下的硅全部氧化掉；6)淀积二氧化硅，封住深槽开口；7)深槽表面平坦化。