[发明专利]包含轻掺杂漏极结构的版图结构有效
| 申请号： | 201110435735.3 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103178094A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;李艳;杨兆宇;谢宝强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含轻掺杂漏极结构的版图结构，包括方框状的第一浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区内的有源区，以及所述有源区内的第二浅沟槽隔离区；第一浅沟槽隔离区的方框上于两侧各设有一轻掺杂漏极图形区域，所述轻掺杂漏极图形区域与各自一侧的框体内缘间距大于0.18微米，所述有源区内设有第二浅沟槽隔离区，所述第二浅沟槽隔离区内无轻掺杂漏极结构。本发明相对于传统的版图删除了第二浅沟槽隔离区内的轻掺杂漏极结构，且设计了新的轻掺杂漏极图形区域，使得B2线宽扩大。因此，轻掺杂漏极区域与有源区之间的距离得到了扩大，改善了电弧放电缺陷，提高了良品率且不影响芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 掺杂 结构 版图 | ||
【主权项】：
一种包含轻掺杂漏极结构的版图结构，包括方框状的第一浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区内的有源区，以及所述有源区内的第二浅沟槽隔离区；其特征在于，第一浅沟槽隔离区的方框上于两侧各设有一轻掺杂漏极图形区域，所述轻掺杂漏极图形区域与各自一侧的框体内缘间距大于0.18微米，所述有源区内设有第二浅沟槽隔离区，所述第二浅沟槽隔离区内无轻掺杂漏极结构。
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