[发明专利]结晶硅太阳能电池的制造方法

摘要

一种结晶硅太阳能电池的制造方法，先于结晶硅基材的第一表面设置阻障层单元，阻障层单元包括由掺杂V族元素的氧化硅构成的阻挡层和至少一层由氧化硅构成的隔离层，再自结晶硅基材第二表面掺杂硼，阻挡层阻挡硼进入该第一表面，而使结晶硅基材自第二表面形成p型层体，再来，选择性地移除阻障层单元，最后，于该结晶硅基材第一表面对该结晶硅基材掺杂而形成n型层体。本发明利用阻挡层阻挡硼扩散，使其无法自结晶硅基材的第二表面进入结晶硅基材，以制得特性稳定的结晶硅太阳能电池。

主权项

一种结晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，该结晶硅太阳能电池的制造方法包含一步骤a、一步骤b、一步骤c及一步骤d，该步骤a于一个结晶硅基材的一个第一表面设置一个阻障层单元，其中，该阻障层单元包括一层以掺杂V族元素的氧化硅为主要材料的阻挡层、及至少一层以氧化硅为主要材料的隔离层，该步骤b于该结晶硅基材相反于该第一表面的一个第二表面掺杂硼，该阻挡层阻挡硼，而使该结晶硅基材自该第二表面向该阻挡层方向形成一层p型层体，该步骤c选择性地移除该阻障层单元的预定结构，该步骤d于该第一表面对该结晶硅基材进行掺杂，而使该结晶硅基材自该第一表面向该第二表面方向形成一层n型层体。