[发明专利]空气隙、空气隙的形成方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201110436157.5 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103178002A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种空气隙的形成方法，包括：首先提供金属互连结构，该金属互连结构包括金属结构及其间的金属间介电层；接着光刻、刻蚀所述金属互连结构的金属间介电层形成空气隙；之后淀积层间介质层封住所述空气隙；最后在所述层间介质层上制作导电插塞；其中，所述光刻、刻蚀步骤中形成的空气隙为蜂窝状分布的多个顶部及底部面积小，中间区域面积大的胖肚型结构。本发明还提供了该空气隙结构及包含该结构的半导体器件。采用本发明的技术方案，形成的顶层介电层机械强度增强，不易坍塌，且对下一工序形成通孔时的自对准精度要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 空气 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种空气隙的形成方法，其特征在于，包括：提供金属互连结构；所述金属互连结构包括金属结构及其间的金属间介电层；光刻、刻蚀所述金属互连结构的金属间介电层形成空气隙；淀积层间介质层封住所述空气隙；在所述层间介质层上制作导电插塞；其中，所述光刻、刻蚀步骤中形成的空气隙为蜂窝状分布的多个顶部及底部面积小，中间区域面积大的胖肚型结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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