[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201110436171.5 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN102569057A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 森数洋司;西野曜子 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/268 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光器件晶片的加工方法,能将在光器件晶片的外延基板表面层叠的光器件层顺利地转移至移设基板而不会使光器件层受到损伤。所述方法用于将光器件晶片中的光器件层转移至移设基板,光器件晶片中,光器件层隔着缓冲层层叠在外延基板表面,在光器件层在由多条间隔道划分出的多个区域形成了光器件,该方法包括:将移设基板接合于光器件层表面的移设基板接合工序;将接合有移设基板的外延基板沿多条间隔道中的预定间隔道切断、分割为多个块的外延基板分割工序;将聚光点定位于缓冲层地从外延基板的背面侧照射透射外延基板的激光光线,来分解缓冲层的剥离用激光光线照射工序;和将分割为多个块的外延基板从光器件层剥离的外延基板剥离工序。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种光器件晶片的加工方法,其为将光器件晶片中的光器件层转移至移设基板的光器件晶片的加工方法,所述光器件晶片中,光器件层隔着缓冲层层叠在外延基板的表面,在该光器件层,在由形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域形成了光器件,该光器件晶片的加工方法的特征在于,其包括以下工序:移设基板接合工序,在该工序中,将移设基板接合于所述光器件层的表面,其中所述光器件层隔着所述缓冲层层叠在所述外延基板的表面;外延基板分割工序,在该工序中,将接合有所述移设基板的所述外延基板沿所述多条间隔道中的预定的间隔道切断,将该外延基板分割为多个块;剥离用激光光线照射工序,在该工序中,在聚光点定位于所述缓冲层的状态下,从实施过所述外延基板分割工序的所述外延基板的背面侧,向光器件晶片与移设基板两者的接合体照射透射所述外延基板的波长的激光光线,由此来分解所述缓冲层;以及外延基板剥离工序,在该工序中,在实施了所述剥离用激光光线照射工序后,将分割为所述多个块的外延基板从所述光器件层剥离。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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