[发明专利]抑制异变外延生长中贯穿位错的结构与方法无效
| 申请号： | 201110436198.4 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103177134A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘玉敏;周帅;俞重远;叶寒;冯昊 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制异变外延生长中贯穿位错的结构与方法，所述方法包括以下步骤：选取适合的生长在应变缓冲层上的量子点几何模型作为理论模型；根据所述理论模型的贯穿和失配位错应变场与晶格失配应变场的相互作用以及位错应变场与自由表面的相互作用，利用有限元法，得出整个系统的应力应变分布情况；基于系统的应力应变分布情况以及能量平衡原理，得到利用量子点抑制贯穿位错的临界条件；形成抑制异变外延生长中贯穿位错的结构。所述结构，包括沿材料生长方向依次生长的衬底、异变缓冲层、多层自组织量子点结构以及有源区，所述多层自组织量子点结构达到量子点抑制贯穿位错的临界条件。本发明有效抑制贯穿位错密度，使其达到器件应用水平。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 外延 生长 贯穿 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制异变外延生长中贯穿位错的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选取适合的生长在应变缓冲层上的量子点几何模型作为理论模型；S2：根据所述理论模型的贯穿位错应变场与晶格失配应变场的相互作用、失配位错应变场与晶格失配应变场的相互作用、以及位错应变场与自由表面的相互作用，利用有限元法，得出整个系统的应力应变分布情况；S3：基于所述系统的应力应变分布情况以及能量平衡原理，得到利用量子点抑制贯穿位错的临界条件；S4：根据得到的利用量子点抑制贯穿位错的临界条件，形成抑制异变外延生长中贯穿位错的结构。
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