[发明专利]一次可编程存储器以及制造方法有效
| 申请号： | 201110436602.8 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102522408A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种一次可编程存储器以及制造方法，所述一次可编程存储器包括多个存储单元，所述存储单元包括串联的控制MOS管和读取MOS管，所述读取MOS管包括浮栅，所述浮栅为上大下小的倒梯形结构。所述存储单元包括串联的控制MOS管和读取MOS管，制造所述读取MOS管的步骤包括：提供衬底；在衬底上依次形成介质层、栅极层；通过带底切的蚀刻图形化所述栅极层，形成上大下小的倒梯形的栅极；通过蚀刻图形化所述介质层，形成栅极介质层；以所述栅极和栅极介质层为掩模对所述衬底进行掺杂，形成掺杂区；形成包围所述栅极和所述栅极介质层的侧墙，所述侧墙、栅极以及栅极质层构成栅极结构。本发明可提高一次可编程存储器的数据保持力。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 可编程 存储器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种一次可编程存储器，其特征在于，所述一次可编程存储器包括多个存储单元，所述存储单元包括串联的控制MOS管和读取MOS管，所述读取MOS管包括浮栅，所述浮栅为上大下小的倒梯形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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