[发明专利]ONO结构及其制作方法、存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201110436603.2 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102522332A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王硕;许忠义;张永福 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ONO结构及其制作方法、存储器及其制作方法，所述ONO结构包括：底层氧化层；位于底层氧化层上的氮化硅层，氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层，第一氮化硅层中包含D，第二氮化硅层中包含H；位于氮化硅层上的顶层氧化硅层。氮化硅层中的D能阻止H与底层氧化层界面处的Si结合成不稳定、极易断裂的Si-H键，并能与底层氧化层界面处的Si结合成Si-D键。Si-D键是一种稳定的化学键，使得氮化硅层与底层氧化硅层界面处不会产生界面陷阱或界面陷阱的密度较小，从而提高了ONO结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | ono 结构 及其 制作方法 存储器 | ||
【主权项】：
一种ONO结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在基体上形成底层氧化层；在所述底层氧化层上形成氮化硅层，所述氮化硅层包括由ND3作为反应物形成的第一氮化硅层、由NH3作为反应物形成的第二氮化硅层，所述第一氮化硅层中包含D，所述第二氮化硅层中包含H；在所述氮化硅层上形成顶层氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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