[发明专利]用于产生均匀的处理速率的方法和设备有效
| 申请号： | 201110437893.2 | 申请日： | 2003-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102573265A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | A·M·霍瓦尔德;A·库蒂;M·H·维尔科克森;A·D·拜利三世 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于在等离子体处理设备的处理腔室的腔室壁内的等离子体产生区域产生射频场分布的天线装置。该天线装置包括射频电感天线，射频电源可以连接到其上以供应射频电流，以产生延伸进入等离子体产生区域的第一射频场。还设置了无源天线，其电感性地耦合到射频电感天线并且配置为产生修改第一射频场的第二射频场。与没有无源天线时相比，在等离子体产生区域的射频场分布增加了处理设备的处理均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 均匀 处理 速率 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在等离子体处理设备的处理腔室的腔室壁内的等离子体产生区域中产生射频场分布的天线装置，其包括；射频电感天线，射频电源连接到其上，以供应射频电流来产生延伸进入等离子体产生区域内的第一射频场；无源天线，该无源天线电感性耦合到射频电感天线并且配置为产生第二射频场来修改第一射频场，使得在等离子体产生区域的射频场分布与没有无源天线时相比增加了处理设备的处理均匀性；及电磁体装置，其在处理腔室内产生直流磁场。
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