[发明专利]无机纳米材料/碳纳米管场发射复合阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201110438219.6 | 申请日： | 2011-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102522283A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 叶芸;郭太良;胡利勤;张永爱;林志贤;郭凡;洪春燕 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无机纳米材料/碳纳米管场发射复合阴极及其制备方法，包括基体上的金属电极和分布于该金属电极上的纳米无机材料及其表面缠绕或镶嵌的碳纳米管；在金属电极上通过化学气相法原位生长出纳米结构的无机材料，碳纳米管缠绕或镶嵌在无机纳米材料上。本发明通过原位生长的无机纳米材料调控无机纳米材料/碳纳米管的密度，降低屏蔽效应，增加碳纳米管在无机纳米材料表面的尖端直立几率，而且碳纳米管与无机纳米材料可同时提供场发射电子，场发射效率高，且此方法制备工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 纳米 材料 发射 复合 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无机纳米材料/碳纳米管场发射复合阴极，其特征在于：在图形化金属电极上化学气相生长无机纳米材料，碳纳米管缠绕或镶嵌在无机纳米材料上。
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