[发明专利]含硅卤化物脱卤加氢的方法有效

专利信息
申请号: 201110438501.4 申请日: 2011-12-24
公开(公告)号: CN102583392A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 陈其国 申请(专利权)人: 江苏中能硅业科技发展有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;C07F7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221004 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种含硅卤化物脱卤加氢的方法,它包括采用含氮化合物和镍、钯、钌等金属和/或其化合物形成的金属配合物为催化剂,以氢气/甲酸为氢源,在0-200℃,压力0-2.0MPa的条件下,反应生成分子式中具有1-3个氢原子的含硅卤化物和氯化氢,反应降低了含硅卤化物脱卤加氢的温度和压力,有助于降低含硅卤化物脱卤加氢单位能耗和成本的同时,提高操作安全性。
搜索关键词: 卤化物 加氢 方法
【主权项】:
一种含硅卤化物脱卤加氢的方法,它包括采用含氮化合物与金属和/或金属化合物形成的金属配合物为催化剂,以氢气和/或甲酸为氢源,在反应精馏反应器中将含硅卤化物Rn-SiHaXb反应生成分子式中具有a+1个氢原子的含硅卤化物和氯化氢的步骤,其中, X=F、Cl、Br、I,R为烃基,n、a、b各自独立选自n=0~1、a =0~3、b=1~4,且n+a+b=4。
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