[发明专利]一种双面图形的硅化物复合衬底GaN基LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201110438684.X | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103178179A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 于峰;彭璐;刘存志;张成山;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双面图形的硅化物复合衬底发光二极管及其制作方法。所述的双面图形的硅化物复合衬底发光二极管包括蓝宝石图形衬底，图形衬底是背面减薄抛光至衬底厚度80～150μm，衬底的正面和背面都制有内凹坑图形，衬底的背面内凹坑内填满有SiO2或SiNx后再蒸镀有一层布拉格反射膜系和一层金属膜组成的ODR介质膜，使得衬底正面内凹坑图形、背面内凹坑图形，以及背面内凹坑内的SiO2或SiNx共同构成具有不同折射率的复合衬底，有效提高发光二极管的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 图形 硅化物 复合 衬底 gan led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双面图形的硅化物复合衬底的发光二极管，包括蓝宝石图形衬底，图形衬底正面上生长有外延层，电流扩展层，P、N电极台面，SiO2掩膜，P电极、N电极；其特征在于所述的图形衬底是衬底背面减薄抛光至衬底厚度80～150μm，衬底的正面和背面都制有内凹坑图形，衬底的背面内凹坑内填满有SiO2或SiNx后再蒸镀有一层布拉格反射膜系和一层金属膜组成的ODR介质膜，使得衬底正面内凹坑图形、背面内凹坑图形，以及背面内凹坑内的SiO2或SiNx共同构成具有不同折射率的复合衬底。
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