[发明专利]一种含量子级联结构的波长上转换器件

摘要

一种含量子级联结构的波长上转换器件，属于半导体材料和器件制作领域，其特征在于：所述波长上转换器件的核心结构包括光吸收层、量子级联载流子输运区、发光层，光吸收层量子阱中的子带跃迁能量对应于红外光子能量，该能量小于发光区量子阱中的带间跃迁能量；量子级联载流子输运区位于光吸收层和发光层之间，由多个量子阱组成，且各量子阱中的电子能级能量逐个降低。本发明可用于红外弱光的探测。

主权项

一种含量子级联结构的波长上转换器件，包括：衬底、下电极接触层、下过渡层、光吸收层、量子级联载流子输运区、发光层、上过渡层、上电极接触层，其特征在于：所述的光吸收层量子势阱中的电子激发态能级与电子基态能级之间的能量差对应于红外光子能量，该能量小于发光区量子势阱中的电子基态能级与空穴基态能级之间的能量差；量子级联载流子输运区位于光吸收层和发光层之间，由多个量子阱组成，且各量子阱中的电子能级能量逐个降低。