[发明专利]一种有腔体的SiC-SiC真空键合方法有效
| 申请号： | 201110439289.3 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102502482A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 尹玉刚;邹黎明;刘文亮;张世名 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 庞静 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种有腔体的SiC-SiC真空键合方法，方法需要将带有腔体的SiC片和无腔体SiC片进行键合，步骤如下：(1)利用低压化学气相淀积方法在带有腔体的SiC片和无腔体SiC片表面生长磷硅玻璃PSG，生长厚度500nm～1000nm；(2)对步骤(1)处理后的两个SiC片上生成的PSG进行抛光处理，抛光后PSG表面粗糙度小于0.5nm；(3)对抛光处理后的两个SiC片进行清洗和活化处理，首先擦洗抛光后的PSG表面，并在pH＜11的碱性溶液中进行超声清洗；接着进行亲水化处理，甩干；(4)对活化处理后的两个SiC片进行预键合，预键合后进行高温退火，完成有腔体的SiC-SiC真空键合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有腔体 sic 真空 方法 | ||
【主权项】：
一种有腔体的SiC‑SiC真空键合方法，方法需要将带有腔体的SiC片和无腔体SiC片进行键合，其特征在于步骤如下：(1)利用低压化学气相淀积方法在带有腔体的SiC片和无腔体SiC片表面生长磷硅玻璃PSG，生长厚度500nm～1000nm；(2)对步骤(1)处理后的两个SiC片上生成的PSG进行抛光处理，抛光后PSG表面粗糙度小于0.5nm；(3)对抛光处理后的两个SiC片进行清洗和活化处理，首先擦洗抛光后的PSG表面，并在PH＜11的碱性溶液中进行超声清洗；接着进行亲水化处理，甩干；(4)对活化处理后的两个SiC片进行预键合，预键合后进行高温退火，完成有腔体的SiC‑SiC真空键合。
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