[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 201110439469.1 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103178184A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘正毓;张正杰;刘晏硕;林治民;刘嘉修 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种发光二极管结构，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一有源层、一第一导电层、一导电材料层及一第二导电层。第二型半导体层配置于第一型半导体层上。有源层配置于第一型半导体层上，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一导电层配置且电性连接在第一型半导体层上。导电材料层配置且电性连接在第二型半导体层上。导电材料层至少具有一第一厚度区域及一第二厚度区域，其中第一厚度区域的厚度大于第二厚度区域的厚度。第二导电层配置于且电性连接于导电材料层上。第二导电层位于导电材料层的第二厚度区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包括：一第一型半导体层；一第二型半导体层，配置于该第一型半导体层上；一有源层，配置于该第一型半导体层上，且位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；一第一导电层，配置于该第一型半导体层上，且电性连接该第一型半导体层；一导电材料层，配置该第二型半导体层上，且电性连接该第二型半导体层，该导电材料层至少具有一第一厚度区域以及一第二厚度区域，其中该第一厚度区域的厚度大于该第二厚度区域的厚度；以及一第二导电层，配置于该导电材料层上，且电性连接该导电材料层，其中该第二导电层位于该导电材料层的该第二厚度区域上。
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