[发明专利]一种沉积减反射膜的方法无效
申请号: | 201110439724.2 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102492936A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 孙小娟;王志国;樊琦芳;王涛;李龙 | 申请(专利权)人: | 保定天威英利新能源有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 071051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种沉积减反射膜的方法,该方法包括:沿硅片传输方向,依次将1个或多个特气槽设置为一组,并将所有特气槽分成N组,其中N不小于2;预先设置每组特气槽中参与反应的硅烷气体和氨气气体的比例;为每组特气槽至少分配一组流量控制计,按照预设的硅烷气体和氨气气体的比例设置每组流量控制计,其中,每组流量控制计包括一个硅烷流量控制计和一个氨气流量控制计;依照流量控制计上的设置,分别通过特气槽上的硅烷气孔和氨气气孔向特气槽中充入预设比例的硅烷和氨气;在硅片表面进行化学气相沉积,至少沉积两层减反射膜。利用本发明提供的方法可以提高硅片表面的钝化效果和减反射效果,进而提高太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 沉积 减反射膜 方法 | ||
【主权项】:
一种沉积减反射膜的方法,其特征在于,该方法包括:沿硅片传输方向,依次将1个或多个特气槽设置为一组,并将所有特气槽分成N组,其中N不小于2;预先设置每组特气槽中参与反应的硅烷气体和氨气气体的比例;为每组特气槽至少分配一组流量控制计,按照预设的硅烷气体和氨气气体的比例设置每组流量控制计,其中,每组流量控制计包括一个硅烷流量控制计和一个氨气流量控制计;依照所述流量控制计的设置,分别通过特气槽上的硅烷气孔和氨气气孔向特气槽中充入预设比例的硅烷和氨气;在硅片表面进行化学气相沉积,至少在所述硅片上沉积两层减反射膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的