[发明专利]一种沉积减反射膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110439724.2 申请日: 2011-12-23
公开(公告)号: CN102492936A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 孙小娟;王志国;樊琦芳;王涛;李龙 申请(专利权)人: 保定天威英利新能源有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 071051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明实施例公开了一种沉积减反射膜的方法,该方法包括:沿硅片传输方向,依次将1个或多个特气槽设置为一组,并将所有特气槽分成N组,其中N不小于2;预先设置每组特气槽中参与反应的硅烷气体和氨气气体的比例;为每组特气槽至少分配一组流量控制计,按照预设的硅烷气体和氨气气体的比例设置每组流量控制计,其中,每组流量控制计包括一个硅烷流量控制计和一个氨气流量控制计;依照流量控制计上的设置,分别通过特气槽上的硅烷气孔和氨气气孔向特气槽中充入预设比例的硅烷和氨气;在硅片表面进行化学气相沉积,至少沉积两层减反射膜。利用本发明提供的方法可以提高硅片表面的钝化效果和减反射效果,进而提高太阳能电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 沉积 减反射膜 方法
【主权项】:
一种沉积减反射膜的方法,其特征在于,该方法包括:沿硅片传输方向,依次将1个或多个特气槽设置为一组,并将所有特气槽分成N组,其中N不小于2;预先设置每组特气槽中参与反应的硅烷气体和氨气气体的比例;为每组特气槽至少分配一组流量控制计,按照预设的硅烷气体和氨气气体的比例设置每组流量控制计,其中,每组流量控制计包括一个硅烷流量控制计和一个氨气流量控制计;依照所述流量控制计的设置,分别通过特气槽上的硅烷气孔和氨气气孔向特气槽中充入预设比例的硅烷和氨气;在硅片表面进行化学气相沉积,至少在所述硅片上沉积两层减反射膜。
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