[发明专利]人工电磁材料设计方法

摘要

本发明公开了一种人工电磁材料设计方法，该方法包括以下步骤：初始化生成x个晶格，将每一个该晶格的S1尺寸和S2尺寸进行编码并合并成一条染色体；根据期望值建立适应度函数，其中，该适应度函数用于计算染色体的适应度值；分别计算每条染色体的适应度值；选取适应度值从高到低排列的前y条染色体作为y条“父代染色体”并进行配对且相互交换自己的部分染色体以衍生y条“子代染色体”；计算该y条“子代染色体”的适应度值，并判断适应度值是否已达到预定阈值；在判断到适应度值达到预定阈值时，选取该适应度值对应的“子代染色体”并进行反编码以产生新的二维尺寸S1’和S2’。本发明利用遗传算法的原理，较快地搜索得到最优的二维尺寸S1’和S2’，提高了设计效率。

主权项

一种人工电磁材料设计方法，所述人工电磁材料包括晶格，所述晶格的二维尺寸为S1尺寸和S2尺寸，其特征在于，所述方法包括以下步骤：初始化生成x个晶格，将每一个所述晶格的S1尺寸和S2尺寸进行编码并合并成一条染色体，以此形成x条染色体；根据期望值建立适应度函数，其中，所述适应度函数用于计算染色体的适应度值；分别计算每条染色体的适应度值；选取适应度值从高到低排列的前y条染色体作为y条“父代染色体”并进行配对且相互交换自己的部分染色体以衍生y条“子代染色体”；返回所述分别计算每条染色体的适应度值的步骤，以计算所述y条“子代染色体”的适应度值，并判断适应度值是否已达到预定阈值；在判断到适应度值达到预定阈值时，选取所述适应度值对应的“子代染色体”并进行反编码以产生新的二维尺寸S1’和S2’。