[发明专利]反转叠层有机发光二极管

摘要

本发明反转叠层有机发光二极管，涉及有机发光二极管，是由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成连接层结构的反转叠层有机发光二极管，由衬底上的一层阴极、再上一层有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、再上一层有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、再上一层有机发光层Ⅰ、再上一层有机空穴过渡层Ⅰ、再上一层有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、再上一层有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、再上一层有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、再上一层有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、再上一层有机发光层Ⅱ、再上一层有机空穴过渡层Ⅱ、再上一层有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ、再上一层有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ和再上一层阳极组成，克服了现有技术的反转叠层有机发光二极管驱动电压高、效率低和稳定性差的缺点。

主权项

反转叠层有机发光二极管，其特征在于：是一种采用由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管，由衬底上的一层阴极、一层沉积在阴极上的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的有机发光层Ⅰ、一层沉积在有机发光层Ⅰ上的有机空穴过渡层Ⅰ、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的有机发光层Ⅱ、一层沉积在有机发光层Ⅱ上的有机空穴过渡层Ⅱ、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ和一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的阳极组成；其中，所述阴极是厚度为100 nm的氧化铟锡导电薄膜或20 nm厚的贵金属薄膜；所述沉积在阴极上的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂派洛宁B，其质量配比为萘四甲酸二酐∶派洛宁B＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的有机电子注入层Ⅰ的材料是在4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉中掺杂碳酸铷，其质量配比为4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉∶碳酸铷＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的有机发光层Ⅰ的材料是三(8‑羟基喹啉)铝(Ⅲ)；所述沉积在有机发光层Ⅰ上的有机空穴过渡层Ⅰ的材料是9,9'‑ (1,3‑苯基)二‑9H‑咔唑；所述沉积在有机空穴过渡层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ的材料是在4，4'‑二（9‑咔唑）联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4，4'‑二（9‑咔唑）联苯∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的有机p型空穴传输层Ⅰ的材料是在4,4',4'‑三[2‑萘基苯基氨基]三苯基胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4',4'‑三[2‑萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂派洛宁B，其质量配比为萘四甲酸二酐∶派洛宁B=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅱ的材料是在4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉中掺杂碳酸铷，其质量配比为4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉∶碳酸铷＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的有机发光层的材料是三(8‑羟基喹啉)铝(Ⅲ)；所述沉积在有机发光层Ⅱ上的有机空穴过渡层Ⅱ的材料是9,9'‑ (1,3‑苯基)二‑9H‑咔唑；所述沉积在有机空穴过渡层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ的材料是在4，4'‑二（9‑咔唑）联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4，4'‑二（9‑咔唑）联苯∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ的材料是在4,4',4'‑三[2‑萘基苯基氨基]三苯基胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4',4'‑三[2‑萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的阳极为银。