[发明专利]自旋阀磁阻传感器有效
| 申请号： | 201110440571.3 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102809731A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陈光镜;汪大镛;汤泰郎;李乾铭 | 申请（专利权）人： | 宇能电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种自旋阀磁阻构造。该自旋阀磁阻构造包括第一磁阻层、第二磁阻层以及间隔层。第一磁阻层具有固定的第一磁化方向，第二磁阻层配置于第一磁阻层的一侧，其具有第二磁化方向，在外加磁场为零时，第二磁化方向和第一磁化方向间的夹角范围为30~60度或120~150度，且第二磁化方向随着外加磁场的强弱而产生和第一磁化方向间的夹角变化，进而改变自旋阀磁阻构造的电阻值。本发明自旋阀磁阻构造具有较简单的制程。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
一种自旋阀磁阻构造，其特征是：所述自旋阀磁阻构造包括第一磁阻层、第二磁阻层以及间隔层，所述第一磁阻层具有固定的第一磁化方向；所述第二磁阻层配置于所述第一磁阻层的一侧，其具有可变的第二磁化方向，在外加磁场为零时，所述第二磁化方向和所述第一磁化方向间的夹角范围为30~60度或120~150度，且所述第二磁化方向可随着所述外加磁场的强弱而产生和所述第一磁化方向间的夹角变化，进而改变所述自旋阀磁阻构造的电阻值；所述间隔层配置于所述第一磁阻层和所述第二磁阻层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇能电科技股份有限公司，未经宇能电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110440571.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种消失模切削表面质量的检测方法
- 下一篇：大型箱体顶进施工用监测系统
