[发明专利]改进的太阳能电池表面制绒方法无效
| 申请号： | 201110440636.4 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102569059A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 严锦春;钱腾达 | 申请（专利权）人： | 嘉兴优太太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 314050 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供改进的太阳能电池表面制绒方法，包括步骤：步骤C：控制反应温度在90摄氏度，使用次氯酸钠腐蚀溶剂去除单晶硅片表面的损伤层，反应时间为所述步骤B中确定的反应时间；步骤D：用去离子水喷洗单晶硅片表面；步骤E：使用干燥的氮气吹干单晶硅片；步骤F：使用次氯酸钠和醇类的混合液作为制绒液，将单晶硅片放置入制绒液中制绒，控制反应温度在84摄氏度。本发明通过使用次氯酸钠配置制绒液，使得硅片的转换率得以提高，并且制绒所产生的反应产物对环境没有污染，进一步地，硅片在制绒后不再需要使用酸液清洗，简化了生产流程。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 太阳能电池 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的太阳能电池表面制绒方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：测定单晶硅片表面损伤层的厚度；步骤B：根据单晶硅片表面损伤层的厚度确定反应时间；步骤C：控制反应温度在90摄氏度，使用次氯酸钠腐蚀溶剂去除单晶硅片表面的损伤层，反应时间为所述步骤B中确定的反应时间；步骤D：用去离子水喷洗单晶硅片表面；步骤E：使用干燥的氮气吹干单晶硅片；步骤F：使用次氯酸钠和醇类的混合液作为制绒液，将单晶硅片放置入制绒液中制绒，控制反应温度在84摄氏度；步骤G：使用干燥的氮气吹干单晶硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴优太太阳能有限公司，未经嘉兴优太太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110440636.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
