[发明专利]衬底选择电路有效
| 申请号： | 201110440799.2 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103178830A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;苏国彬;刘迪军 | 申请（专利权）人： | 联芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094;H03K5/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 石湘波 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底选择电路，用于将第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管之衬底连接至第一电压及第二电压之较高者，其至少包含：基准电路，连接一第一电压以产生一基准电流；电流镜电路，连接于该基准电路以将该基准电流镜像获得一较小的镜像电流；以及电平位移电路，连接于该电流镜电路、该第一电压及一第二电压，以在该镜像电流作用下将该第一电压及该第二电压分别进行电平位移后输出至该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管之栅极，本发明实现了在第一电压与第二电压接近时仍能选择正确的衬底电压的目的，同时本发明还具有输入电压范围广，面积小，结构简单，功耗低，驱动能力大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 选择 电路 | ||
【主权项】：
一种衬底选择电路，用于将第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管之衬底连接至第一电压及第二电压之较高者，其至少包含：基准电路，连接一第一电压以产生一基准电流；电流镜电路，连接于该基准电路以将该基准电流镜像获得一较小的镜像电流；以及电平位移电路，连接于该电流镜电路、该第一电压及一第二电压，以在该镜像电流作用下将该第一电压及该第二电压分别进行电平位移后输出至该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管之栅极。
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