[发明专利]蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料及喷雾生产法无效
| 申请号： | 201110441182.2 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102585804A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王达健;王龄昌;陆启飞;曹利生;李建;宋俊;王延泽;马健;董晓菲 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料，为稀土离子掺杂的含镁硅酸盐，其中掺杂的Eu2+和Mn2+为发光中心，发射峰的峰位分别在430和660纳米处；该荧光材料采用喷雾生产法制备，包括胶体的制备、雾化、干凝胶颗粒的高温微波灼烧。本发明的优点是：荧光体成分混合均匀，热稳定和化学稳定高，荧光体颗粒小仅为5-15微米，不需球磨并且可以通过控制雾化参数改变荧光材料颗粒的大小；该荧光粉料用蓝紫光的InGaN芯片激发可以同时发出波长为660纳米的红光和430纳米的蓝光，可用于暖白光LED和植物照明LED封装所需要的660纳米的红光；制备方法中原料成本低，灼烧温度低、节能、环保，适应于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 紫光 芯片 激发 660 纳米 红光 荧光 材料 喷雾 生产 | ||
【主权项】：
一种蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料，其特征在于：为稀土离子掺杂的含镁硅酸盐，其化学式为Ba1.14Sr1.7MgSi2O8:0.06Eu2+，0.1Mn2+，其中掺杂的Eu2+和Mn2+为发光中心，采用溶胶喷雾法制备，荧光体颗粒大小为5‑15微米，发射峰的峰位分别在430纳米处和660纳米处。
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