[发明专利]单芯片超高压恒流电路有效
| 申请号： | 201110441333.4 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102508510A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 朱月林 | 申请（专利权）人： | 朱月林 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;G05F1/569 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所 32228 | 代理人： | 孙力坚 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单芯片超高压恒流电路，包括高压N型DMOS管、BJT三极管、两端分别与高压N型DMOS管的栅极和漏极相连接的第一电阻、两端分别与高压N型DMOS管的源极和BJT三极管的基极相连接的第二电阻、两端分别与高压N型DMOS管的源极和BJT三极管的发射极相连接的第三电阻，以及阴极与BJT三极管的集电极相连接、阳极与BJT三极管的发射极相连接的稳压二极管，高压N型DMOS管的栅极与BJT三极管的集电极相连接。本发明的电路结构简单，采用单芯片的双极、CMOS和高压DMOS混合集成电路技术，恒流端耐压最高可达700伏特，完全满足各种市电应用方案。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 超高压 流电 | ||
【主权项】：
一种单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述电路包括一只高压N型DMOS管（N1）、一只BJT三极管（Q1）、两端分别与所述高压N型DMOS管（N1）的栅极和漏极相连接的第一电阻（R1）、两端分别与所述高压N型DMOS管（N1）的源极和BJT三极管（Q1）的基极相连接的第二电阻（R2）、两端分别与所述高压N型DMOS管（N1）的源极和BJT三极管（Q1）的发射极相连接的第三电阻（R3），以及阴极与所述BJT三极管（Q1）的集电极相连接、阳极与所述BJT三极管（Q1）的发射极相连接的稳压二极管（D1），所述高压N型DMOS管（N1）的栅极与BJT三极管（Q1）的集电极相连接。
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