[发明专利]基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110441607.X | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102570313A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王永进;朱洪波 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件结构的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法能够便于实现基于氮化物材料的集成光子器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 氮化物 材料 集成 光子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，其特征在于：还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构。
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