[发明专利]金属陶瓷薄膜为导电层的遮阳低辐射玻璃无效

专利信息
申请号: 201110441682.6 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN102529213A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 李德杰 申请(专利权)人: 李德杰
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00;C03C17/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 金属陶瓷薄膜为导电层的遮阳低辐射玻璃,属于玻璃制造和节能技术领域。由顺序沉积在玻璃上的第1介质层、导电层和第2介质层构成。所述的导电层由单层或多层金属陶瓷薄膜构成,金属陶瓷薄膜指的是金属与介质的混合薄膜。金属陶瓷薄膜中,金属成分所占的体积比被称为填充因子,其范围在0.1到1.0之间。如果导电层是由多层金属陶瓷薄膜构成,则靠近玻璃的内层薄膜的填充因子高于外层薄膜。该低辐射玻璃性能稳定,可靠性高,还具备高的生产效率,可大大降低成本,有利于大规模推广应用。
搜索关键词: 金属陶瓷 薄膜 导电 遮阳 辐射 玻璃
【主权项】:
金属陶瓷薄膜为导电层的遮阳低辐射玻璃,由顺序沉积在玻璃上的第1介质层、导电层和第2介质层构成,其特征在于:所述的导电层由单层或多层金属陶瓷薄膜构成,所述的金属陶瓷薄膜指的是金属与介质的混合薄膜。
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