[发明专利]高填充系数的双CMOS图像传感器像素单元及工作方法有效
| 申请号： | 201110441799.4 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102447851A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 何进;苏艳梅;张东维 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高填充系数的双CMOS图像传感器像素单元及其工作方法，其中像素单元仅由一个P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1)、一个源极跟随晶体管(M11)和一个选择晶体管(M12)组成；对应像素阵列工作方法包括：重置：施加高正电压的选择控制信号(Φ12)和重置控制信号(Φ11)，以激活P+/N-Well/P-sub结构的二极管为节点充电；光集成：在一个固定光照集成时间内将Φ12和Φ11都置为低正电压，所述二极管中N-Well/P-sub部分积聚光产生载流子，所述节点放电；读出：在光集成后，只将Φ12改置为高正电压，对应所述载流子的光感信号通过M11和M12被列总线读出。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 系数 cmos 图像传感器 像素 单元 工作 方法 | ||
【主权项】：
一种高填充系数的双CMOS图像传感器像素单元，电连接偏置电压(Vdd1)、偏置电流(i1)、重置控制信号(Φ11)和选择控制信号(Φ12)，其特征在于，包括：仅一个P+/N‑Well/P‑sub结构的二极管(N1)，P+端电连接所述重置控制信号(Φ11)，用于控制所述二极管(N1)中P+/N‑Well部分导通或截止；仅一个源极跟随晶体管(M11)和一个选择晶体管(M12)，它们的射极互连，其中：源极跟随晶体管(M11)，基极电连接所述P+/N‑Well/P‑sub结构的二极管(N1)，集电极电连接所述偏置电压(Vdd1)；选择晶体管(M12)，基极电连接所述选择控制信号(Φ12)，集电极通过读出总线电连接所述偏置电流(Vdd1)，用于读出光感信号。
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