[发明专利]沟槽填充方法及成膜装置

摘要

本发明提供沟槽填充方法及成膜装置。该沟槽填充方法包括以下工序：在沟槽内部形成氧化阻挡层膜(步骤3)；在氧化阻挡层膜上形成能够膨胀的膜(步骤4)；利用因烧制而会收缩的填充材料填充沟槽(步骤5)；将填充材料烧制(步骤6)；步骤3的工序包括以下工序：供给氨基硅烷类气体，在沟槽的内部形成第1晶种层(步骤31)；在第1晶种层上形成氮化硅膜(步骤32)；步骤4的工序包括以下工序：供给氨基硅烷类气体，在氮化硅膜上形成第2晶种层(步骤41)；在第2晶种层上形成硅膜(步骤42)。

主权项

一种沟槽填充方法，其特征在于，该沟槽填充方法包括以下工序：(1)在形成于半导体基板的沟槽内部形成氧化阻挡层膜；(2)在上述氧化阻挡层膜上形成能够膨胀的膜；(3)使用因烧制而会收缩的填充材料，由上述氧化阻挡层膜、上述能够膨胀的膜和上述填充材料填充上述沟槽；(4)对上述填充材料进行烧制；上述(1)工序包括以下工序：向形成有上述沟槽的半导体基板供给氨基硅烷类气体，在上述沟槽的内部形成第1晶种层；在上述第1晶种层上形成氮化硅膜；上述(2)工序包括以下工序：向形成有上述氮化硅膜的半导体基板供给氨基硅烷类气体，在上述氮化硅膜上形成第2晶种层；在上述第2晶种层上形成硅膜。