[发明专利]一种堆栈光电二极管及其制备方法

摘要

本发明提出了一种堆栈光电二极管及其制备方法，该堆栈光电二极管包括：半导体材料、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、场氧区、金属层、钝化层、感光窗口和抗反射层。本发明仅采用一个堆栈光电二极管来实现环境光检测功能，减小了芯片面积，降低了功耗，同时还降低了成本。本发明的感光窗口使更多的光线照射到感光面上，达到提高堆栈光电二极管灵敏度的目的，其上的抗反射层既可以将芯片与外界环境隔离，又可以在一定程度上修正堆栈光电二极管的感光光谱。本发明的制备方法在硅衬底上制作堆栈光电二极管作为环境光传感器的感光元件，节约了芯片面积，降低了功耗，降低了成本。

主权项

一种堆栈光电二极管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底为轻掺杂；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区形成在所述半导体衬底内，所述第一掺杂区为重掺杂，其掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相同，所述第二掺杂区为轻掺杂，其掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相反，在所述半导体衬底的内缘和所述第二掺杂区的外缘处形成有场氧区；第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区和第四掺杂区形成在所述第二掺杂区内，所述第三掺杂区和第四掺杂区均为重掺杂，所述第三掺杂区的掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相同，所述第四掺杂区的掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相反；至少一层金属层，所述金属层形成在所述半导体衬底之上，所述金属层分别与所述第一掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区相连。