[发明专利]衬底处理装置、衬底的制造方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110442414.6 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102543689A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 白子贤治;福田正直;佐佐木隆史;今井义则;原大介;西堂周平;栗林幸永 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其特征在于，包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，并从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
