[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法和驱动方法有效
| 申请号： | 201110443623.2 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102881708A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 金明燮;金秀吉;朴南均;金圣哲;都甲锡;沈俊燮;李贤姃 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法和驱动方法。所述器件包括：半导体衬底；从半导体衬底的表面延伸的上电极；沿着与半导体衬底的表面平行的方向从上电极的两个侧壁延伸的多个开关结构；以及设置在所述多个开关结构与上电极之间的相变材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 驱动 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件，包括；半导体衬底；上电极，所述上电极从所述半导体衬底的表面延伸；多个开关结构，所述多个开关结构被层叠且沿着与所述半导体衬底的所述表面平行的方向从所述上电极的任一侧延伸；以及相变材料层，所述相变材料层被设置在所述多个开关结构与所述上电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
