[发明专利]一种降低选择性发射极太阳能电池发射极串联电阻的方法

摘要

一种降低选择性发射极太阳能电池发射极串联电阻的方法，其中，所述方法包括：使用与太阳能硅片极性相反的掺杂源在太阳能硅片上形成图形；对太阳能硅片执行扩散工艺，同时形成轻掺杂浓度的发射极以及在发射极内部的中等掺杂浓度的半导体沟道。本发明的方法制作太阳能电池的过程中，经过一次扩散工艺同时形成发射极以及位于发射极内的半导体沟道，无需使用其他热处理过程；半导体沟道的制备具有自对准特性，后续工艺无需使用对准技术。中等掺杂浓度半导体沟道在正面栅线电极之间形成电流通道，提高栅线电极的载流子收集能力，大幅降低电池串联电阻，达到改善电池填充因子，短路电流以及电池转换效率的目的。

主权项

一种降低选择性发射极太阳能电池发射极串联电阻的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、对太阳能硅片执行标准的制绒工艺，形成太阳能硅片表面的金字塔结构；B、使用与所述太阳能硅片极性相反的掺杂源在所述太阳能硅片上制作图形；C、对所述太阳能硅片执行标准扩散工艺，同时形成轻掺杂浓度的发射极和位于发射极内部的中等掺杂浓度的半导体沟道；此外，在所述太阳能硅片表面形成含有杂质的二氧化硅层；扩散掺杂源极性与所述太阳能硅片极性相反；D、对所述太阳能硅片执行标准的去边绝缘和去二氧化硅工艺，将所述太阳能硅片侧面和背面的与所述太阳能硅片极性相反的硅片和表面的二氧化硅层完整去除；E、对所述太阳能硅片执行清洗工艺，去除含有掺杂源的残留物；F、在所述轻掺杂发射极和中等掺杂浓度半导体沟道制备完成后，继续进行抗反射膜、选择性发射极、栅线电极、母线电极以及背电极等其他部分的制备工艺，最终完成选择性发射极太阳能电池的制作。