[发明专利]一种微流控芯片的低温键合的方法

摘要

本发明属于微精细加工领域，涉及微流控芯片技术，特别涉及一种应用于普通实验室的微流控芯片的低温键合的方法。本发明的键合是在低温下完成的，整个操作过程在非超净环境下完成，简单实用，降低了制作成本，成品率高，非常适用于普通实验室的微流控芯片的制备。本发明采用外援胶类(如紫外光固化胶)封接，有效的保护了微流控芯片，使微流控芯片不在键合中遭到破坏。

主权项

一种微流控芯片的低温键合方法，其特征是，所述的低温键合方法包括以下步骤：(1)在带有沟道及与沟道相连通的反应液的入孔和出孔的用于制备微流控芯片的基片的边缘的非沟道区域打一个不与所述沟道相连通的孔；清洗该基片和用于制备微流控芯片的盖片，干燥盖片和基片；(2)将质量百分比浓度为1％～3％的硅酸钠溶液滴入到步骤(1)干燥后得到的盖片和基片之间的非沟道区域，挤压至盖片与基片紧密贴合；(3)将步骤(2)得到的紧密贴合的盖片与基片放入真空干燥箱中抽真空并加热至温度为110℃～120℃，保温完成初步键合；(4)在温度为65℃～80℃下，将石蜡融化，将步骤(3)完成初步键合的盖片与基片浸泡到液体石蜡中，在基片的所述入孔或出孔处施加负压，利用负压将液体石蜡通过所述入孔或出孔吸入到沟道内，将盖片与基片夹紧、固定，冷却到室温，完成对沟道的保护；(5)反复浸泡清洗步骤(4)得到的盖片与基片，将盖片与基片之间的可溶性的硅酸钠溶解除去，室温下抽真空干燥；(6)在步骤(5)得到的盖片与基片的四周的边缘封一圈紫外光固化胶，在基片的不与所述沟道相连通的所述孔处施加负压，将紫外光固化胶通过盖片与基片之间的缝隙吸入到非沟道区域；(7)先对步骤(6)得到的盖片与基片的四周进行紫外光照射，再对基片的沟道区域进行紫外光照射，室温老化；(8)将步骤(7)室温老化后得到的盖片与基片加热至温度为65℃～80℃，通过基片上的所述入孔或出孔将沟道中的液体石蜡吸出；冷却到室温，通过基片上的所述入孔或出孔，用石油醚清洗残余在沟道中的石蜡，用酒精清洗石油醚，最后反复冲洗浸泡盖片与基片以除去沟道内部残余的硅酸钠，室温下真空干燥；(9)室温下，将浓硫酸：过氧化氢的体积比为1∶1～7∶3的混合液通过基片上的所述入孔或出孔充满步骤(8)干燥后得到的盖片与基片中的基片的沟道内，加热盖片与基片至温度为100～120℃，保温，以除去沟道中残余的紫外光固化胶；通过基片上的所述入孔或出孔，反复清洗沟道，真空干燥 后完成键合，得到微流控芯片。