[发明专利]一种超微晶铁芯强磁退火工艺及其专用设备有效

专利信息
申请号: 201110445989.3 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102496450B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 安海路 申请(专利权)人: 天津三环奥纳科技有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;C21D1/26
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司12209 代理人: 王来佳
地址: 301914 天津市蓟*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种超微晶铁芯强磁退火工艺,包括以下步骤(1)将超微晶铁芯轴向朝上摆放在方形炉的热处理区内,使炉内逐步升温至475℃,使超微晶铁芯均匀加热;(2)将方形炉推入强磁场内,使方形炉位于强磁场的中心处;(3)保持炉内温度为475~495℃,3~4小时后将方形炉自强磁场中取出;(4)使退出强磁场的方形炉内升温至565℃,保持2~3小时;(5)步骤(4)处理完成后,使方形炉内温度自然降温至室温后即完成了超微晶铁芯的强磁退火工艺。本发明有效的控制了剩磁,使磁导率亦得到了有效的控制,线性度变得更好,整体工艺简便,无需进行超微晶铁芯的切口处理,降低了生产成本,提高了产品的合格率。
搜索关键词: 一种 超微晶铁芯强磁 退火 工艺 及其 专用设备
【主权项】:
一种超微晶铁芯强磁退火工艺,其特征在于:退火工艺的专用设备包括导磁方框、永磁体和方形炉,导磁方框竖直放置且其两端的开口内穿装两根相互平行的导轨,方形炉滑动安装在所述两根导轨上,与方形炉上端面和下端面相对位的导磁方框内壁表面均安装多个永磁体;所述方形炉推入导磁方框内时位于永磁体产生的强磁场的中心处;所述导磁方框内壁上端和下端安装的多个永磁体的表面均安装有回转形水冷管;所述方形炉内的两侧边与上端面和下端面的交接处均为弧形过渡面;所述永磁体产生的强磁场位于导磁方框中心位置的强度为4000~4500 Oe;所述退火工艺包括以下步骤:⑴将超微晶铁芯轴向朝上摆放在方形炉的热处理区内,使炉内逐步升温至475℃,使超微晶铁芯均匀加热;⑵将方形炉推入强磁场内,使方形炉位于强磁场的中心处;⑶保持炉内温度为475~495℃,3~4小时后将方形炉自强磁场中取出;⑷使退出强磁场的方形炉内升温至565℃,保持2~3小时;⑸步骤⑷处理完成后,使方形炉内温度自然降温至室温后即完成了超微晶铁芯的强磁退火工艺;步骤⑴中逐步升温的速度是1℃/分钟或者5℃/分钟;步骤⑵中的强磁场的强度为4000~4500 Oe;步骤⑵中超微晶铁芯的轴线与强磁场的磁力线方向平行。
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