[发明专利]一种界面钝化改善高k栅介质性能的方法无效
| 申请号： | 201110445993.X | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187252A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 熊玉华;郭亿文;杜军;屠海令 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种界面钝化改善高k栅介质性能的方法，包括在硅衬底上依次沉积非晶体氧化铝薄膜和氧化钆掺杂的氧化铪薄膜。本发明采用特定的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铝靶材，在硅衬底上沉积非晶氧化铝薄膜层，然后在该氧化铝薄膜层上沉积氧化钆掺杂的氧化铪薄膜。本发明在硅衬底与氧化钆掺杂的氧化铪薄膜之间上沉积非晶体氧化铝薄膜，从而在衬底与高k栅介质层之间形成界面钝化层，有效地阻止了Si、O、Hf原子的互扩散，使Si/Al2O3界面形成单一的SiOx，减少了界面处铪的硅化物或硅酸盐的形成，并且由于Al2O3致密稳定，使界面处的电荷缺陷减少，稳定性增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 界面 钝化 改善 介质 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种界面钝化改善高k栅介质性能的方法，其特征在于：包括在硅衬底上依次沉积非晶体氧化铝薄膜和氧化钆掺杂的氧化铪薄膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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