[发明专利]超高压BCD工艺中的LDMOS结构无效
| 申请号： | 201110445995.9 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102496627A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;邵凯;陈雪萌;永福;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超高压BCD工艺中的LDMOS结构，位于P-衬底上的N-外延层中，其包括：第一高压P型体区，位于N-外延层表面；两个高压N+注入区，分别位于第一高压P型体区和漏极位置处；栅氧化层和多晶硅栅极，位于N-外延层上表面，与第一高压P型体区连接；层间介质层，覆盖N-外延层上表面，并在LDMOS结构的源极、漏极和多晶硅栅极位置处留出窗口；源极、漏极和栅极金属场板，分别位于层间介质层上，并且源极金属场板透过源极窗口与第一高压P型体区短接，漏极金属场板透过漏极窗口与漏极连接，栅极金属场板透过栅极窗口与多晶硅栅极连接。本发明不仅为高压器件提供了降低表面电场、提高耐压的场板，而且大幅降低多晶硅栅极的寄生电阻，提高栅极开关频率。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 bcd 工艺 中的 ldmos 结构 | ||
【主权项】：
一种超高压BCD工艺中的LDMOS结构(100)，位于P‑衬底(101)上的N‑外延层(102)中，其包括：第一高压P型体区(103)，位于所述N‑外延层(102)表面；两个高压N+注入区(104)，分别位于所述第一高压P型体区(103)中和所述LDMOS结构(100)的漏极位置处；栅氧化层和多晶硅栅极(105)，位于所述N‑外延层(102)上表面，与所述第一高压P型体区(103)相连接；层间介质层(106)，覆盖所述N‑外延层(102)的上表面，并在所述LDMOS结构(100)的源极、漏极和所述多晶硅栅极(105)位置处留出窗口；源极金属场板(107)，位于所述层间介质层(106)上并且透过源极窗口与所述第一高压P型体区(103)短接；漏极金属场板(108)，位于所述层间介质层(106)上并且透过漏极窗口与所述LDMOS结构(100)的漏极连接；以及栅极金属场板(109)，位于所述层间介质层(106)上并且透过栅极窗口与所述多晶硅栅极(105)连接。
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