[发明专利]检测层间粘附力的方法及检测试片的制作方法有效
| 申请号： | 201110446041.X | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103185687A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N19/04 | 分类号： | G01N19/04;G01N1/28;H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了基于四点弯曲法的检测层间粘附力的方法及用于制作检测试片的方法，该检测方法包括：提供待检测试片，待检测试片上依次形成有第一介质膜和第二介质膜；在第二介质膜上形成第一沟槽，直至第一介质膜的表面；在第一沟槽内填充金属，并通过化学机械平坦化使金属的表面与第二介质膜齐平；在第二介质膜上生长氧化物膜，并在氧化物膜上与第一沟槽对应的位置形成第二沟槽，且第二沟槽的深度小于等于所述氧化物膜的厚度；将氧化物膜与衬底粘合，并在衬底上与第一沟槽及第二沟槽对应的位置形成开槽，以形成检测试片；利用四点弯曲法检测所述第一介质膜与第二介质膜之间的粘附力。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 粘附 方法 试片 制作方法 | ||
【主权项】：
检测层间粘附力的方法，该方法包括：提供待检测试片，所述待检测试片上依次形成有第一介质膜和第二介质膜；在所述第二介质膜上形成第一沟槽，直至所述第一介质膜的表面；在所述第一沟槽内填充金属，并通过化学机械平坦化使所述金属的表面与所述第二介质膜齐平；在所述第二介质膜上生长氧化物膜，并在所述氧化物膜上与所述第一沟槽对应的位置形成第二沟槽，且所述第二沟槽的深度小于等于所述氧化物膜的厚度；将所述氧化物膜与衬底粘合，并在所述衬底上与所述第一沟槽及第二沟槽对应的位置形成开槽，以形成检测试片；利用四点弯曲法检测所述第一介质膜与第二介质膜之间的粘附力。
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