[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110446633.1 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102543852A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李文强;李杰;蒋珂玮 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/146;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属互连结构及其制作方法。该制作方法包括：首先在基底上制作金属互连结构，该金属互连结构包括金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层；接着，光刻后，采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构，至少在自上而下为介质层的区域形成通孔或槽；最后采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构，该新的金属互连结构除了两端包埋在介质层中，其它部分浮置在槽或孔中。采用本发明的技术方案，可以满足一些对悬空金属互连结构的需求，例如，可以减轻与镜头不匹配情形，减小光串扰现象，还可以在悬空结构中填充需要的材质。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：在基底上制作金属互连结构，所述金属互连结构包括至少一层金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层；光刻后，采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构，至少在自上而下为介质层的区域形成通孔或槽；采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构，该新的金属互连结构除了两端包埋在介质层中，其它部分浮置在槽或孔中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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