[发明专利]RF功率器件有效
| 申请号： | 201110447041.1 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102593120A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马尼克斯·伯纳德·威廉森 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种RF功率器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有布置成阵列的多个有源区。每一个有源区包括一个或多个RF功率晶体管。所述有源区散布于非有源区中，以减少分离的有源区中RF功率晶体管的相互加热。该器件也包括位于一个或多个非有源区中的至少一个阻抗匹配部件。 | ||
| 搜索关键词： | rf 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种RF功率器件，包括：半导体衬底，具有布置成阵列的多个有源区，其中每一个有源区包括一个或多个RF功率晶体管，并且所述有源区通过非有源区分隔开，所述非有源区用于减少分离的有源区中的RF功率晶体管的相互加热；以及至少一个阻抗匹配部件，位于一个或多个所述非有源区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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