[发明专利]一种白光LED芯片制造方法及其产品

摘要

本发明揭示了一种白光LED芯片制造方法及其产品，本发明通过在芯片焊垫周围制作内围坝，预留焊盘，在芯片外框制作外围坝，预留划片槽，然后在内围坝和外围坝间涂敷荧光粉的方法制得白光LED芯片。本发明的方法能在芯片表面获得平整均匀的荧光粉涂层，真正实现荧光粉芯片级封装。这种方法得到的白光芯片的色温一致，没有局部蓝圈或黄圈的不均匀光斑。

主权项

一种白光LED芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在衬底上生长完整的LED外延结构：在蓝宝石衬底上利用有机化学气相沉积的方法依次外延生长N型电极接触层，发光有源区，P型电极接触层；步骤二、制作N型电极区：利用光刻胶或介质膜作掩膜，用离子刻蚀的方法在P‑GaN上将设计的N型接触区域和分割区域刻蚀至N型接触电极区；步骤三、制作透明导电层：用光刻和蒸镀的方法在P‑GaN表面制作透明导电层，并在400℃～600℃时，退火10～30分钟；步骤四、制作电极：利用光刻胶作掩膜，蒸镀金属，剥离之后形成P型欧姆接触电极和N型欧姆接触电极；步骤五、制作围坝：在步骤四的P型和N型接触电极周围形成内围坝，在芯片外框形成外围坝；步骤六、涂覆荧光粉：将荧光粉粉末与硅胶或环氧树脂按比例混合，经过脱泡处理，制成粉浆，在步骤五的芯片的内外围坝之间涂敷粉浆；步骤七、分割芯片：将经过步骤六涂覆荧光粉的基板背面减薄，用划片和裂片的方法将芯片分割成独立单元。