[发明专利]一种偏置电流产生电路无效

专利信息
申请号: 201110448348.3 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102520756A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 夏晓娟;郭宇锋;陈德媛;方玉明 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G05F3/16 分类号: G05F3/16
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 奚幼坚
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种偏置电流产生电路,包括:电压-电流转换电路,将基准电压Vref转换成电流I1,产生第一偏置电压Vb1;稳定偏置电流产生电路,用来获得高稳定性的偏置电流,产生第二偏置电压Vb2;稳定偏置电流输出电路,利用NMOS管电流镜的原理产生稳定的偏置电流输出。本发明电路直接采用系统中存在的基准电压Vref(相对于电源电压Vdd),利用Vref的高精度和低温漂的特点,获得同样高精度和低温漂的偏置电流,解决了一些电路设计中对偏置电流精度和温度系数高要求的问题。
搜索关键词: 一种 偏置 电流 产生 电路
【主权项】:
一种偏置电流产生电路,其特征是,包括:    电压‑电流转换电路,将基准电压Vref转换成电流I1,产生第一偏置电压Vb1;    稳定偏置电流产生电路,用来获得高稳定性的偏置电流,产生第二偏置电压Vb2;稳定偏置电流输出电路,利用NMOS管电流镜的原理产生稳定的偏置电流输出;    电压‑电流转换电路包括PMOS管M1、NMOS管M2和电容C1;电容C1连接在输入基准电压Vref和电源电压Vdd之间,PMOS管M1的栅极接基准电压Vref,PMOS管M1的源极接电源电压,PMOS管M1的漏极与NMOS管M2的漏极、栅极共同连接第一偏置电压Vb1,NMOS管M2的源极接公共地端;稳定偏置电流产生电路包括PMOS管M3 及M5、NMOS管M4及 M6、电阻R1和R2、电容C2;PMOS管M3的源极接电源电压Vdd,电阻R1和R2串联后一端接电源电压Vdd,另一端连接PMOS管M3的栅极及PMOS管M5的源极,PMOS管M5的栅极连接PMOS管M3的漏极及NMOS管M4的漏极,NMOS管M4的栅极接电压‑电流转换电路1中的第一偏置电压Vb1,NMOS管M4的源极接公共地端,NMOS管M6的栅极、漏极和PMOS管M5的漏极共同接于第二偏置电压Vb2,NMOS管M6的源极接公共地端,电容C2的一端连接NMOS管M6的漏极,另一端接公共地端,电阻R1和R2分别具有相反的温度系数;稳定偏置电流输出电路包括m个NMOS管N1~Nm,m是正整数, NMOS管N1~Nm的源极共同连接公共地,NMOS管N1~Nm的栅极共同连接于稳定偏置电流产生电路中的第二偏置电压Vb2,NMOS管N1~Nm的漏极分别作为输出端,提供1‑ m个偏置电流。
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